抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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MAPbI
3ペロブスカイト膜の蒸発形蒸着において,MAIの蒸気圧を制御することは困難であり,特に蒸発技術に対してはその気体特性のためである。本研究では,この問題を解決するために,ペロブスカイト膜の堆積へホットウォール法を適用した。ホットウォール法は気体MAI分子の真空容器への拡散を防止し,1x10
-5Torr以下の高真空下で基板上へのペロブスカイト膜直接堆積の可能性を持つ。堆積条件の最適化により,40°Cで基板上にMAPbI
3ペロブスカイト膜を堆積することに成功した。これらの堆積したMAPbI
3膜を用いて,ガラス/TCO/PEDOT:PSS/MAPbI
3/C60/BCP/Agの素子構造を有する反転平面ヘテロ接合ペロブスカイト太陽電池を作製した。太陽電池性能は,熱アニーリング無しと有りで,それぞれ9.03%と12.82%の電力変換効率を示した。本研究は,ホットウォール法を用いたペロブスカイト太陽電池の最初の実証である。(翻訳著者抄録)