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J-GLOBAL ID:201902237984314570   整理番号:19A2855628

酸素雰囲気中およびフラーレンC_60によるPVDF照射におけるエッチング可能なイオン飛跡のサイズの制御【JST・京大機械翻訳】

Control of the size of etchable ion tracks in PVDF - Irradiation in an oxygen atmosphere and with fullerene C60
著者 (8件):
資料名:
巻: 460  ページ: 254-258  発行年: 2019年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)膜のエッチング可能なイオン飛跡のサイズを制御する可能性を追求した。最初に,330MeV~40Arイオンを,量子および放射線科学技術(QST,日本)のための国立研究所の先進放射線応用(TIARA)サイクロトロンのための均一ビーム形成/照射システムを用いて,酸素中で25μm厚PVDF膜に照射した。従来の方法である高真空中での照射と比較して,より多くの酸素含有官能基が表面上に形成され,細孔のサイズがより大きくなり,トラックエッチング速度が加速されることが明らかになった。結果は,酸素中の照射がイオン飛跡の酸化を効果的に誘起し,酸化がエッチング可能なイオン飛跡のサイズを広げることを示した。次に,6MeVフラーレンC60+イオンによる照射を試みた。同じ速度の100keV C+単原子イオンによる照射と比較して,フラーレンイオン照射はPVDF表面上に大きなサイズのエッチング可能な飛跡を誘起した。結果は,凝集イオンによる局所的および同時衝突の影響を表すことができた。照射の両方はエッチング可能なイオン飛跡のサイズを広げ,エッチング時間を変えることにより細孔径を制御できた。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  放射線検出・検出器 

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