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J-GLOBAL ID：201902238044343647   整理番号：19A0029479

太陽電池とモジュール積層材における半セル切断技術の機械的損傷【JST・京大機械翻訳】

Mechanical damage of half-cell cutting technologies in solar cells and module laminates

著者 (6件)： Kaule Felix (Fraunhofer Center for Silicon Photovoltaics CSP, Otto-Eissfeldt-Strasse 12, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Pander Matthias (Fraunhofer Center for Silicon Photovoltaics CSP, Otto-Eissfeldt-Strasse 12, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Turek Marko (Fraunhofer Center for Silicon Photovoltaics CSP, Otto-Eissfeldt-Strasse 12, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Grimm Michael (3D-Micromac AG, Technologie-Campus 8, 09126 Chemnitz, Germany) ,  Hofmueller Eckehard (Cell Engineering GmbH, Orionstrasse1, 06184 Kabelsketal, Germany) ,  Schoenfelder Stephan (Fraunhofer Center for Silicon Photovoltaics CSP, Otto-Eissfeldt-Strasse 12, 06120 Halle (Saale), Germany)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1999  号： 1  ページ： 020013-020013-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハーフセルモジュールは,セル技術におけるいかなる変化も必要とせずにモジュール電力を増加させる可能性のために,市場シェアを増加させている。しかしながら,異なる細胞分離技術は,半細胞の類似の電気的性能をもたらすことができるが,細胞の完全に異なる機械的挙動をもたらすことが分かった。したがって,太陽電池とモジュール積層レベルに関する機械的強度を,多結晶シリコンAl-BSF太陽電池に関する熱レーザ分離(TLS)と切断(LSC)切断技術によるレーザスクライビングのために評価した。細胞レベルで見られる機械的欠陥もモジュールレベルで見られることを系統的に示すことができた。より正確に,LSCバッチの強度は細胞レベルで35%,モジュールレベルで23%減少した。TLSプロセスは,細胞またはモジュール積層レベルに対する強度を有意に変化させなかった。さらに,破壊の起源は,レーザバッチに対する端部および完全セルおよびTLSカットセルに対する背面パッドにおいて見出された。電気的評価は,1%未満の効率低下をもたらす半電池のわずかな電力損失を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポリシリコン ,  電力 ,  半電池 ,  レーザ ,  機械的強度 ,  市場占拠率 ,  パッド ,  *太陽電池 ,  *積層材料 ,  アルミニウム ,  ロット
準シソーラス用語： 電力損失 ,  性能劣化 ,  レーザースクライビング ,  力学的挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  モジュール ,  積層材 ,  セル ,  機械的損傷