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J-GLOBAL ID:201902238133679894   整理番号:19A0024574

長期記憶エングラム細胞はc-Fos/CREB転写サイクルにより確立される【JST・京大機械翻訳】

Long-Term Memory Engram Cells Are Established by c-Fos/CREB Transcriptional Cycling
著者 (4件):
資料名:
巻: 25  号: 10  ページ: 2716-2728.e3  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3124A  ISSN: 2211-1247  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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c-fosの増加依存性増加は,長期記憶(LTM)をコードするエングラム細胞を同定するために使用されている。しかしながら,CREBとc-Fosを含むLTMに必要な転写因子と,記憶図の確立におけるリン酸化ERK(pERK)のような活性化キナーゼの間の相互作用は不明である。ハエにおける平均嗅覚関連のLTMの形成は,訓練間の休息間隔による反復訓練試行を必要とする。ここでは,pERKにおける長い休止間隔依存性増加が,嗅覚関連が作られ貯蔵されるキノコ体におけるKCsのサブセットにおけるc-FosとCREBの間の転写サイクルを誘導することを見出した。既存のCREBは,初期のc-fos誘導に必要であるが,c-FosはCREB発現を増加させるために後に必要とされる。c-fos-陽性エングラムニューロンのブロッキングまたは活性化は記憶想起を阻害し,記憶関連行動を誘導する。著者らの結果は,c-Fas/CREBサイクルがLTMに必要なLTM engram細胞を定義することを示唆する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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遺伝子発現  ,  中枢神経系 

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