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J-GLOBAL ID:201902238623204003   整理番号:19A2089779

シリコンヘテロ接合太陽電池のキャリア選択接触としての低温p型微結晶シリコン【JST・京大機械翻訳】

Low-Temperature $p$-Type Microcrystalline Silicon as Carrier Selective Contact for Silicon Heterojunction Solar Cells
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 1158-1165  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池は,特に全背面接触アーキテクチャにおいて記録効率に達している。これにもかかわらず,2側面接触SHJセルは,依然として,非晶質シリコン接触における寄生吸収と直列抵抗損失を被っている。ドープされた非晶質シリコン層の代替物は微結晶シリコンであり,これは透明度と電荷輸送の改善を示すが,全シリコン接触スタックの優れた不動態化品質を維持する。しかし,最近までに,薄い,高度に結晶性の薄膜を堆積することは挑戦のままである。本研究では,p型μc-Si:H接触層の性能を改善するために,堆積温度<200°Cを用いた。これらの層により,1mA/cm2のJ_sc利得を実証し,一方,1Ωcm2以下の直列抵抗を低減し,認証η=23.45%のスクリーン印刷4cm2セルをもたらした。一組のデバイスと材料特性化技術を用いて,堆積温度の低下がp型膜に対して35%から55%への結晶体積分率の増加をもたらし,これが前面接触における寄生吸収を緩和し,正孔抽出を容易にすることを示した。これらの改善は,c-Siウエハにおけるより高いバンド曲がりを伴うp型層におけるより高い透明度の結果として説明される。これらの知見はSHJ太陽電池性能を改善する方法を提供するが,ヘテロ接合設計を最適化するときのバンド曲がりの重要性についての洞察を提供する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 
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