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J-GLOBAL ID：201902238762956224   整理番号：19A0855260

インジウムすず酸化物とポリ(3-ヘキシルチオフェン)膜の間のエネルギーバンド整列における界面層としてのDawsonポリオキソメタラートの役割【JST・京大機械翻訳】

The role of Dawson Polyoxometalates as interfacial layers on the energy band alignment between indium tin oxide and poly(3-hexylthiophene) films

著者 (4件)： Tsikritzis Dimitris (Department of Chemical Engineering, University of Patras, GR-26504 Patras, Greece) ,  Tselios Charalampos (Department of Chemical Engineering, University of Patras, GR-26504 Patras, Greece) ,  Douvas Antonios M. (Institute of Nanoscience and Nanotechnology (INN), National Center for Scientific Research (NCSR) “Demokritos”, 15341 Aghia Paraskevi, Attika, Greece) ,  Kennou Stella (Department of Chemical Engineering, University of Patras, GR-26504 Patras, Greece)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 676  ページ： 92-99  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,異なるカチオンとアドデンダ原子を有する一連のDawsonポリオキソ金属酸塩(POM)を,酸化インジウムスズ(ITO)と位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(rr-P3HT)の間の界面層として成長させ,ヘテロ接合rr-P3HT/ITOのエネルギーバンドアラインメントに及ぼす異なるPOM膜の効果を決定した。POM/ITOおよびrr-P3HT/POM/ITO界面を,X線光電子および超可視光電子分光法(XPS,UPS)により調べ,それらの化学形態,形成された界面のエネルギーおよび電荷キャリア障壁に対する洞察を得た。POMはITO上への堆積により還元され,それらの還元の程度はそれらのカチオンとアドデンダ原子により制御されることを示した。ITOのITOの蒸着は界面双極子の形成をもたらし,ITOの仕事関数は5.9eVまで増加した。POM修飾ITOの上部にrr-P3HTの薄層が形成されると,POM/ITO基板の仕事関数が>4.5eVのとき,rr-P3HTから基板への電子移動が起こり,rr-P3HTの最高被占分子軌道(HOMO)のピン止めとオーム接触の形成をもたらす。結果を,整数電荷移動モデル(ICT)によって解釈した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： HOMO ,  カチオン ,  可視光 ,  ピン止め ,  電子移動 ,  ヘテロ接合 ,  *酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  光電子 ,  Ohm接触 ,  *界面 ,  基板 ,  仕事関数 ,  電荷キャリア ,  *界面層

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： インジウムすず酸化物 ,  3-ヘキシルチオフェン ,  エネルギー ,  バンド整列 ,  界面層 ,  ポリオキソメタラート ,  役割