文献
J-GLOBAL ID:201902238950774823   整理番号:19A2029033

微細Cu配線向け無電解超薄膜Ni/Pd/Auめっきプロセスの実装特性

著者 (4件):
資料名:
巻: 139th  ページ: 121-122  発行年: 2019年03月06日 
JST資料番号: Y0050A  ISSN: 0917-2947  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
本文一部表示:
本文一部表示
文献の本文または文献内に掲載されている抄録の冒頭(最大100文字程度)を表示しています。
非表示の場合はJDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌登載から半年~1年程度経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
1.緒言 微細Cu配線へ無電解Ni/Pd/Auめっきを施す場合、Cu上で無電解Niめっき反応を生起するために、Pd触媒付与処理が必須工程である。この際、PdイオンがCu配線間の樹脂上に吸着し、後続の無電解Niめっき時に発生する水素ガスにより...【本文一部表示】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無電解めっき  ,  固体デバイス製造技術一般 

前のページに戻る