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J-GLOBAL ID：201902239043058920   整理番号：19A2088799

単一源前駆体合成高密度モノリシックSiC/HFC_xN_1-x/Cセラミックナノ複合材料の機械的性質と電磁遮蔽性能【JST・京大機械翻訳】

Mechanical properties and electromagnetic shielding performance of single-source-precursor synthesized dense monolithic SiC/HfC_xN_1-x/C ceramic nanocomposites

著者 (8件)： Wen Qingbo (Technische Universitaet Darmstadt, Institut fuer Materialwissenschaft, Otto-Berndt-Strasse 3, D-64287, Darmstadt, Germany) ,  Yu Zhaoju ,  Liu Xingmin ,  Bruns Sebastian ,  Yin Xiaowei ,  Eriksson Mirva ,  Shen Zhijian James ,  Riedel Ralf
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 34  ページ： 10683-10693  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 600°Cまでの温度で優れた電磁(EM)遮蔽性能を持つ単一ソース前駆体合成高密度モノリシックSiC/HfC_xN_1-x/Cセラミックナノ複合材料を初めて報告した。SiC/HfC_xN_1-x/Cモノリスの全遮蔽効果(SE_T)は600°Cで>40dBであり,これは同じ条件下で報告されたEM遮蔽材料の大部分より優れている。HfフリーSiC/Cモノリスと比較して,SiC/HfC_xN_1-x/Cモノリスは,高導電性HfC_xN_1-x相の存在により,優れたEM遮蔽性能を有した。さらに,HfC_xN_1-x粒子はグラファイト様炭素リボンと結合したコア-シェルナノ粒子を形成する炭素層により被覆され,半導体β-SiCマトリックス内の電気伝導性ネットワークをもたらす。さらに,高密度SiC/HfC_xN_1-x/Cモノリスの硬度,Young率および曲げ強さは,それぞれ29±4GPa,381±29GPaおよび320±25MPaと測定された。緻密なモノリシックSiC/HfC_xN_1-x/Cナノ複合材料の優れた機械的性質と組み合わせた優れたEM遮蔽性能は,過酷な環境および/または高い機械的負荷の下での応用のためのEM遮蔽材料を作製するための新しい戦略を提供する。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノ複合材料 ,  硬度 ,  Young率 ,  *炭化ケイ素 ,  グラファイト ,  *電磁遮蔽 ,  半導体 ,  *前駆体 ,  導電性 ,  *セラミック ,  ネットワーク
準シソーラス用語： コア/シェルナノ粒子 ,  遮蔽効果 ,  モノリス ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 前駆体 ,  高密度 ,  SiC ,  セラミック ,  ナノ複合材料 ,  機械的性質 ,  電磁遮蔽