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J-GLOBAL ID：201902239073155821   整理番号：19A0659494

吸収ポテンシャルとの時間依存配置間相互作用を用いたCH_3X(X=F,Cl,Br,I)の強電場イオン化の角度依存性【JST・京大機械翻訳】

Angular Dependence of Strong Field Ionization of CH₃X (X = F, Cl, Br, or I) Using Time-Dependent Configuration Interaction with an Absorbing Potential

著者 (2件)： Hoerner Paul (Department of Chemistry, Wayne State University, Michigan, United States) ,  Schlegel H. Bernhard (Department of Chemistry, Wayne State University, Michigan, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry A  (Journal of Physical Chemistry A)
巻： 121  号： 31  ページ： 5940-5946  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0334B  ISSN： 1089-5639  CODEN： JPCAFH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハロゲン化メチルを用いて,吸収ポテンシャルと時間依存配置間相互作用を用いて,強磁場イオン化のシミュレーションに対する基底セット効果を試験した。標準原子中心基底関数系は,各原子上の拡散関数のいくつかのセットにより増強される必要があり,したがって,強磁場中の波動関数は,イオン化をモデル化するために用いられる吸収ポテンシャルと相互作用することができる。3s関数,2p関数,3d関数,および1f関数の吸収基底は,CH_3Fに対して十分である。4s関数,3又は4p関数,4又は5d関数,及び2f関数をもつ大きな吸収基底関数系を重ハロゲンに対して推奨した。シミュレーションでは,ハロゲン化メチルのイオン化の角度依存性を調べるために,0.035~0.07au範囲の静的場を用いた。CH_3Fは主にメチル基からイオン化する;CH_3ClとCH_3Brはメチル基とハロゲンの両方からイオン化を示し,CH_3Iはヨウ素のp_π軌道からほとんど排他的にイオン化する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハロゲン ,  *時間依存性 ,  π軌道 ,  *角度依存性 ,  ヨウ素 ,  基底 ,  相互作用 ,  強磁場 ,  ハロゲン化 ,  基底関数系 ,  *配置間相互作用 ,  *イオン化 ,  モデリング
準シソーラス用語： メチル基 ,  *高電場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  分子間相互作用  (BH07020P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 時間依存 ,  配置間相互作用 ,  Cl ,  Br ,  強電場 ,  イオン化 ,  角度依存性