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J-GLOBAL ID:201902239154930071   整理番号:19A0180780

効率的近赤外発光のための二次元ペロブスカイトマトリックスにおける量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Quantum Dots in Two-Dimensional Perovskite Matrices for Efficient Near-Infrared Light Emission
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 830-836  発行年: 2017年 
JST資料番号: W5045A  ISSN: 2330-4022  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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量子ドット-インペロブスカイト固体は赤外発光応用の優れた候補である。ドット-イン-ペロブスカイト発光ダイオード(LED)の第一世代は,可変同調可能な発光波長を有する明るい赤外エレクトロルミネセンスを示した。しかし,それらの性能は,実際の動作電圧での活性層の劣化によって制限された。これは三次元(3D)有機鉛ハロゲン化物ペロブスカイトマトリックスの不安定性から生じた。ここでは,マトリックスとして二次元(2D)ペロブスカイトを用いた最初のドット-インペロブスカイト固体を報告する。量子ドット(QD)配位子交換過程で行ったその場アルキルアンモニウム/アルキルアミン置換により,2Dペロブスカイト不動態化を達成した。この一段階膜調製プロセスは,多段階合成に依存する第一世代ドット-インペロブスカイト薄膜よりも7倍以上薄い40nmの厚さのQD/ペロブスカイト活性層の堆積を可能にした。この新しい方法の結果として,ドット-イン-ペロブスカイト膜の粗さは第一世代膜の31nmから膜の3nmに改善された。最良の素子は,最大7.5Vまでの改善された絶縁破壊電圧をもつ,2%を超える外部量子効率ピークと約1W sr-1m-2の放射輝度を示した。第一世代ドットインペロブスカイトと比較して,この新しいプロセスは材料消費を10倍低減し,製造可能なデバイスに向けた有望なステップを表す。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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発光素子 
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