文献
J-GLOBAL ID:201902239321291285   整理番号:19A1413758

単層および多層グラフェンを用いた高周波キャパシタの静電容量挙動【JST・京大機械翻訳】

Capacitance behavior of radio-frequency interdigital capacitor with single- and multi-layer graphenes
著者 (3件):
資料名:
巻: 110  号: 22  ページ: 223103-223103-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文では,化学蒸着により成長させた,単一および多層グラフェン,5μm幅および20μm長さをもつ高周波インターディジタルキャパシタの静電容量挙動について調べた。得られた結果から,コンデンサ単独の自己共振周波数は,単一および多層グラフェンの添加によって影響を受けなかった。しかし,単層グラフェンを有するコンデンサは,単層グラフェンによる全体抵抗の増加により,2つの他の構成と比較して,より低い静電容量ピークを示した。その結果,全体のコンデンサの性能はグラフェンの抵抗に依存することが分かった。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  トランジスタ 

前のページに戻る