文献

J-GLOBAL ID：201902239349429807   整理番号：19A1416348

埋込みプラズモンGaナノ粒子アレイの形成とそのGaAs光ルミネセンスへの影響【JST・京大機械翻訳】

Formation of embedded plasmonic Ga nanoparticle arrays and their influence on GaAs photoluminescence

著者 (6件)： Kang M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Jeon S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Jen T. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Lee J.-E. (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Sih V. (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Goldman R. S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 3  ページ： 033102-033102-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモンナノ粒子(NP)アレイの半導体層へのシームレス集積への新しいアプローチを紹介し,それらの増強された光ルミネセンス(PL)効率を実証した。著者らのアプローチは,調整可能なNP直径を有するGa NPsの最密充填アレイの集束イオンビーム誘起自己集合を利用し,続いて分子線エピタクシーを用いてGaAs層を過剰成長させた。PL分光法と電磁計算の組合せを用いて,GaAsにおけるNPアレイ増強吸収がGaAs近バンド端(NBE)PL効率を増強し,高品質エピタキシャルGaAs層のそれを上回るGa NP直径と過成長GaAs層厚の領域を同定した。NPアレイの深さとサイズが増加すると,自然放出速度の減少はNPアレイ増強吸収を圧倒し,NBE PL効率を低下させた。このアプローチは,広い種類の半導体ヘテロ構造のPL効率を増強する機会を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 層厚 ,  自然放出 ,  *ナノ粒子 ,  半導体 ,  エピタクシー ,  *光ルミネセンス ,  MBE成長 ,  *プラズモン ,  *ヒ化ガリウム ,  集束イオンビーム ,  *ガリウム ,  自己集合
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  過成長 ,  最密充填 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋込み ,  プラズモン ,  Ga ,  ナノ粒子 ,  アレイ ,  GaAs ,  光ルミネセンス