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J-GLOBAL ID：201902239351371801   整理番号：19A1932821

ZnO薄膜における励起子非弾性散乱過程の温度依存性の空間分解光ルミネセンス研究

Spatially-Resolved Photoluminescence Study of Temperature Dependence of Exciton Inelastic Scattering Processes in a ZnO Thin Film

著者 (2件)： NAKAYAMA Masaaki (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAYAMA Yojiro (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 88  号： 8  ページ： 083706.1-083706.4  発行年： 2019年08月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空間分解光ルミネセンス(PL)分光法を用いて,ZnO薄膜における励起子非弾性散乱過程,励起子-励起子散乱,及び励起子-電子散乱の温度依存性を調べた。励起スポットから離れた膜端付近のスポットにおいて,励起子非弾性散乱過程が原因となったPLバンドが選択的に観測されることが分かった。選択的に観測を行って,PLピークエネルギーを正確に測定できた。PLピークエネルギーの温度依存性の定量分析を行って,10Kから~160Kの温度領域で起こる励起子-励起子散乱が室温までの高温領域で励起子-電子散乱に変化することを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *励起子 ,  非弾性散乱 ,  *光ルミネセンス ,  キャリア散乱 ,  温度依存性 ,  空間分解分光法
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  励起子-電子散乱 ,  励起子-励起子散乱 ,  励起子散乱

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

引用文献 (23件)：

• C. Klingshirn, J. Fallert, H. Zhou, J. Sartor, C. Thiele, F. Maier-Flaig, D. Schneider, and H. Kalt, Phys. Status Solidi B 247, 1424 (2010).
• S. W. Koch, H. Haug, G. Schmieder, W. Bohnert, and C. Klingshirn, Phys. Status Solidi B 89, 431 (1978).
• C. Klingshirn, Phys. Status Solidi B 71, 547 (1975).
• R. Matsuzaki, H. Soma, K. Fukuoka, K. Kodama, A. Asahara, T. Suemoto, Y. Adachi, and T. Uchino, Phys. Rev. B 96, 125306 (2017).
• T. Fischer and J. Bille, J. Appl. Phys. 45, 3937 (1974).

タイトルに関連する用語 (8件)： ZnO薄膜 ,  励起子 ,  非弾性散乱 ,  過程 ,  温度依存性 ,  分解 ,  光ルミネセンス ,  研究