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J-GLOBAL ID：201902239809718276   整理番号：19A1384915

オキシド-semiconductor/group-IV-半導体二重層トンネル電界効果トランジスタの材料設計【JST・京大機械翻訳】

Material design of oxide-semiconductor/group-IV-semiconductor bilayer tunneling field effect transistors

著者 (5件)： Kato Kimihiko (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Matsui Hiroaki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Tabata Hitoshi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： EDTM  ページ： 85-87  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物半導体(OS)とIV族半導体から成るヘテロトンネル接合を持つ二層トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の性能改善を実証した。非晶質ZnSnO層を導入することによるチャネル厚さ均一性の改善は,ON電流と高いオン/オフ電流比を増加させ,平均サブ閾値スイングを減少させるのに有効である。温度依存性を含む電気特性に基づいて,二層TFETにおける材料設計の指針を検討した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *材料設計 ,  非晶質 ,  電気特性 ,  温度依存性 ,  電流 ,  *半導体 ,  *酸化物 ,  トンネル接合 ,  チャネル
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  二層 ,  酸化物半導体 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (4件)： オキシド ,  二重層 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  材料設計