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J-GLOBAL ID:201902240287702279   整理番号:19A1704217

第一原理とフォノンBoltzmann輸送方程式から計算したCrSi_2の格子動力学と格子熱伝導率【JST・京大機械翻訳】

Lattice dynamics and lattice thermal conductivity of CrSi2 calculated from first principles and the phonon Boltzmann transport equation
著者 (4件):
資料名:
巻: 126  号:ページ: 025105-025105-6  発行年: 2019年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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格子熱伝導率κ_Lを効率的に減少させることは,熱電(TE)の分野における主要な関心事の一つである。ここでは,第一原理およびフォノンBoltzmann輸送方程式を用いて,単結晶および多結晶CrSi_2に対するκ_Lを理論的に調べた。CrSi_2はその合理的な力率のために潜在的なTE材料として知られているが,そのκ_Lの制御は解決すべき課題として残っている。本研究では,計算に基づいてκ_Lを効率的に減少させる方法を検討した。フォノンバンド構造と状態密度を調和計算により計算した。さらに,達成可能な最低格子熱伝導率,κ_L0,および累積格子熱伝導率,κ_cumを,それぞれCahillモデルおよび非調和計算を用いて推定した。CrSi_2に対するκ_L0を650Kで約2.2Wm~-1K~-1と予測した。これはCrSi_2が650Kで0.39以上の高zTを有する可能性のあるTE材料であることを示唆している。κ_cumのフォノン平均自由行程依存性は,多結晶CrSi_2に対するκ_Lの減少に対する臨界結晶子サイズが600Kにおいて70nmであることを示した。さらに,結晶子サイズは,κ_Lを半分に減少させるために,7nmと小さくなければならないことが明らかになった。これらの計算結果は,CrSi_2に対するκ_Lを制御する方法への有用な洞察を提供する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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比熱・熱伝導一般  ,  半導体結晶の電気伝導 

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