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J-GLOBAL ID：201902240322876041   整理番号：19A1369530

THz-TDSEによる3層構造SiCウエハのバッファ層の電気特性評価

著者 (8件)： 佐藤希一 (立命館大) ,  藤井高志 (立命館大) ,  藤井高志 (日邦プレシジョン) ,  毛利真一郎 (立命館大) ,  荒木努 (立命館大) ,  石地耕太郎 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  岩本敏志 (日邦プレシジョン) ,  杉江隆一 (東レリサーチセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9a-PB3-3  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々のグループはこれまでTHz時間領域分光エリプソメトリー(以下、THz-TDSE)を用いてSiCの高濃度Pイオン注入層について非接触・非破壊で電気特性評価が可能であることを報告している1。今後、我々は1018 cm-3台の濃度のPイオンや...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *バッファ層 ,  偏光解析法 ,  テラヘルツ波 ,  六方晶系 ,  炭化ケイ素 ,  *キャリア密度 ,  移動度 ,  膜厚 ,  エピタキシャル層 ,  時間領域測定
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  三層構造 ,  分光エリプソメトリ

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3層構造 ,  SiC ,  ウエハ ,  バッファ層 ,  電気特性 ,  評価