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J-GLOBAL ID：201902240400738131   整理番号：19A0461221

110GHzまで測定したMOSトランジスタの正確なF_TとF_max抽出に関する実験的考察【JST・京大機械翻訳】

Experimental Considerations on Accurate f_T and f_max Extraction for MOS Transistors Measured Up to 110 GHz

著者 (5件)： Rimmelspacher J. (Friedrich-Alexauder-University Erlangen-Nuremberg (FAU), Cauerstrasse 9, Erlangen, 91058, Germany) ,  Werthof A. (INfineon Technologies, Am Campeon 1-12, Neubiberg, 85579, Germany) ,  Weigel R. (Friedrich-Alexauder-University Erlangen-Nuremberg (FAU), Cauerstrasse 9, Erlangen, 91058, Germany) ,  Geiselbrechtinger A. (INfineon Technologies, Am Campeon 1-12, Neubiberg, 85579, Germany) ,  Issakov V. (INfineon Technologies, Am Campeon 1-12, Neubiberg, 85579, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ARFTG  ページ： 1-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1電流利得周波数(f_T)と最大発振周波数(f_max)は,半導体技術の最高の達成可能速度を特性化するために用いられる重要なパラメータである。しかし,これらの値は通常,低ギガヘルツ周波数で行われるトランジスタ測定に基づいて評価され,数百GHzの範囲で外挿されている。したがって,外挿が行われる点に依存して,得られた結果の大きな偏差が可能である。さらに,金属化層がトランジスタ相互接続寄生に対する決定に依存して,f_maxの値は著しく変化する可能性がある。本論文は,Sパラメータ測定から正確にf_Tとf_maxを抽出する方法論に関する実験研究を提示した。種々の外挿周波数を系統的に評価し,結果を検討した。例として,110GHzまでのSパラメータ測定により,40nmバルクCMOS技術のMOSデバイスを特性化した。著者らは,オープンショートの脱埋め込み技術を使用して,その適用性を検討した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 外挿法 ,  適応性 ,  メタライゼーション ,  キャラクタリゼーション ,  相互接続 ,  *MOSFET ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  実験研究 ,  Sパラメータ ,  半導体技術 ,  最大発振周波数 ,  電流利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOSトランジスタ ,  実験