文献

J-GLOBAL ID：201902240450525731   整理番号：19A1903222

1MeV電子および3MeV陽子照射InGaAs単一接合太陽電池の劣化解析【JST・京大機械翻訳】

Degradation analysis of 1 MeV electron and 3 MeV proton irradiated InGaAs single junction solar cell

著者 (13件)： Shen X. B. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Aierken A. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Heini M. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Mo J. H. (School of Energy and Environment, Yunnan Normal University, No. 756 Juxian Road, Chenggong District, Kunming 650500, People’s Republic of China) ,  Lei Q. Q. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Zhao X. F. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Sailai M. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Xu Y. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Tan M. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Wu Y. Y. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Lu S. L. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Li Y. D. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China) ,  Guo Q. (Key Laboratory of Functional Materials and Device for Special Environments, Xinjiang Technical Institute of Phys. & Chem., Chinese Academy of Sciences, No. 40-1 South Beijing Road, Urumqi 830011, People’s Republic of China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 7  ページ： 075205-075205-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1MeV電子および3MeV陽子照射In_0.53Ga_0.47As単一接合太陽電池の電気的およびスペクトル的性質を報告した。これらは,ウエハ結合GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四接合全スペクトル太陽電池の第四サブセルとして使用される。等価変位損傷線量モデルを,太陽電池の放射線効果を研究するために適用した。結果は,太陽電池の電気パラメータが照射フルエンスの増加により著しく劣化し,少数キャリア寿命の減少と照射誘起変位損傷に起因する直列とシャント抵抗の変化がセル性能の劣化の主な理由であることを示した。スペクトル応答の劣化は主に太陽電池の基底層におけるより大きな変位損傷のために太陽電池の長波長領域で発生した。電子と陽子照射による太陽電池の劣化特性は,電子によってプロトン損傷等価性因子R_epによって予測することができた。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  スペクトル ,  はじき出し損傷 ,  *陽子照射 ,  フルエンス ,  *陽子 ,  放射線量 ,  *太陽電池 ,  *ヒ化ガリウム ,  *接合 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  シャント抵抗 ,  少数キャリア寿命 ,  InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  塩  (CD01050V) ,  プラズマ診断  (BJ02090L) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  陽子照射 ,  InGaAs ,  太陽電池 ,  解析