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J-GLOBAL ID：201902240686687826   整理番号：19A1788251

マルチゲートトンネルFETに及ぼすゲートとチャネルエンジニアリングの影響:レビュー【JST・京大機械翻訳】

Influence of Gate and Channel Engineering on Multigate Tunnel FETs: A Review

著者 (3件)： Dutta Ritam (Department of Electronics & Communication Engineering, Surendra Institute of Engineering and Management, MAKAUT, Siliguri, West Bengal, India) ,  Konar Sukumar Chandra (Department of Electronics & Communication Engineering, Surendra Institute of Engineering and Management, MAKAUT, Siliguri, West Bengal, India) ,  Paitya Nitai (Department of Electronics & Communication Engineering, Sikkim Manipal Institute of Technology, SMU, Majitar, Sikkim, India)
資料名： Lecture Notes in Electrical Engineering  (Lecture Notes in Electrical Engineering)
巻： 575  ページ： 345-355  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5070A  ISSN： 1876-1100  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の金属-酸化物電界効果トランジスタを置き換えることによるトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の開発における連続的進歩は,連続素子寸法ダウンスケーリングの開発を満足させることである。本論文では,バンド間トンネリング(BTBT)現象キャリア伝導機構の構築された利点により,非通常のTFET構造について詳細なレビューを行い,それにより短チャネル効果(SCEs)を低減した。本研究では,種々の非従来型素子構造,すなわち,二重ゲートトンネルFET(DG-TFET),三重ゲートトンネルFET(TG-TFET),二重ゲートポケット固有トンネルFET(DG-PI-TFET),およびポケット固有層(TG-PI-TFET)を持つ三重ゲートTFET構造のドレイン電流評価を示した。異なるデバイスパラメータに対するドレイン電流の変化をレビューし,Silvaco TCADシミュレータにより実証した。Copyright 2020 Springer Nature Singapore Pte Ltd. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *チャネル ,  酸化物 ,  シミュレータ ,  FET【トランジスタ】 ,  短チャネル効果 ,  素子構造
準シソーラス用語： TCAD ,  ドレイン電流 ,  三重ゲート ,  二重ゲート ,  伝導機構 ,  バンド間トンネリング ,  ダウンスケーリング ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *マルチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DG-TFET ,  DG-PI-TFET ,  I_ON/I_OFF比 ,  TG-TFET ,  TG-PI-TFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチゲート ,  トンネルFET ,  ゲート ,  チャネル ,  エンジニアリング ,  レビュー