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J-GLOBAL ID：201902240782935072   整理番号：19A2205747

製造バラツキを考慮したCMOSテラヘルツイメージセンサ向けピクセル利得バラツキ補償機構

Gain calibration technique for CMOS terahertz image sensor pixels to compensate the process variation

著者 (6件)： 池上高広 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  平田脩馬 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  澤口浩太朗 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  永安佑次 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  金澤悠里 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  池辺将之 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 162(ICD2019 1-17)  ページ： 49-52  発行年： 2019年07月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSテラヘルツイメージセンサ向けの利得バラツキ補償機構を提案する.テラヘルツ(Terahertz,THz)波を受信しMOSFETにより包絡線検波を行う際,製造バラツキの影響でピクセルごとの利得にもバラツキを生じる.我々は検波用MOSFETの動作点をピクセルごとに補償した定電流源で定めることで利得のバラツキを抑える方法を提案する.適切に動作点を設定することで,利得の変動を抑えられることをシミュレーションで示した.また,グローバルシャッタに適合する形での利得バラツキ補償も可能であることを確認した.(著者抄録)

シソーラス用語： CMOS構造 ,  分散【variance】 ,  製造 ,  *イメージセンサ ,  画素 ,  *利得補償 ,  テラヘルツ波 ,  MOSFET ,  *復調 ,  エンベロープ ,  *CMOSイメージセンサ ,  製造ばらつき ,  MOS構造
準シソーラス用語： ピクセル ,  *包絡線検波

分類 (2件)： 光電変換管  (NC02030O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• K. Kawase et al., Opt. Express, vol.11, no.20, p.2549, 2003.
• J. L. Hesler et al., 18th Int. Symp. Sp. Terahertz Technol., no. March, pp.89-92, 2007.
• P. Helisto et al., 2006 European Microwave Integrated Circuits Conference, vol.4032, no. September, pp.35-38, Sep. 2006.
• L. A. Samoska et al., IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., vol.1, no.1, pp.9-24, 2011.
• K. Wakita et al., 2016 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), pp.1-4, 2016.

タイトルに関連する用語 (8件)： 製造バラツキ ,  CMOS ,  テラヘルツ ,  イメージセンサ ,  ピクセル ,  利得 ,  バラツキ ,  補償