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J-GLOBAL ID:201902241012165341   整理番号:19A0181829

18%を超える定常状態効率を持つドーパントを含まない平面n-i-pペロブスカイト太陽電池【JST・京大機械翻訳】

Dopant-Free Planar n-i-p Perovskite Solar Cells with Steady-State Efficiencies Exceeding 18%
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 622-628  発行年: 2017年 
JST資料番号: W5040A  ISSN: 2380-8195  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,任意の電子ドーパントの不在下で18.8%までの定常状態効率をもつ平面n-i-pペロブスカイト太陽電池設計を実証した。素子スタックにおいて,溶液処理SnO_2を電子受容n型層として用いた。吸収体層は,混合有機Aサイト陽イオンと混合ハロゲン化物(FA_0.83MA_0.17Pb-(I_0.83Br_0.17)_3)の両方を有するペロブスカイトである。正孔輸送p型層は高分子被覆単層カーボンナノチューブと非ドープスピロ-OMeTADの二層構造である。著者らは,このアプローチが従来のドープされたスピロ-OMeTADのそれらよりも高く,高い定常状態効率を提供でき,長期安定性に重要な無ドープペロブスカイト太陽電池の経路を提供することを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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