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J-GLOBAL ID：201902241013706577   整理番号：19A0014582

CdCl_2活性化CdTe薄膜の光学特性と表面トポグラフィー【JST・京大機械翻訳】

Optical properties and surface topography of CdCl₂ activated CdTe thin films

著者 (4件)： Patel S. L. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur 313001, India) ,  Purohit A. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur 313001, India) ,  Chander S. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur 313001, India) ,  Dhaka M. S. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur 313001, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1953  号： 1  ページ： 100048-100048-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸着CdTe薄膜の光学特性と表面トポグラフィーに及ぼすCdCl_2後熱処理の影響を調べた。光学的性質と表面トポグラフィーを調べるために,元の膜と熱的にアニールした膜をそれぞれUV-Vis分光光度計と原子間力顕微鏡(AFM)にかけた。吸光度は320°Cの温度で最大(~90%)であり,透過率は紫外および可視領域で最小で,ほとんど一定であることが分かった。直接バンドギャップはCdCl_2アニーリング温度と共に1.42eVから2.12eVに増加した。表面トポグラフィーは,均一性がアニーリング温度により改善され,平均表面粗さが83.3~144.3nmの範囲で見出され,結晶粒は円筒状の丘状の形状を持つことを明らかにした。調べた結果は,320°CでアニールしたポストCdCl_2処理膜が吸収体層として薄膜太陽電池に適している可能性があることを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 円筒 ,  *テルル化カドミウム ,  形態 ,  吸光度 ,  *光学的性質 ,  薄膜成長 ,  蒸着 ,  透過率 ,  結晶粒 ,  原子間力顕微鏡 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  アニーリング温度 ,  直接バンドギャップ ,  可視領域 ,  *表面トポグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 活性化 ,  CdTe ,  薄膜 ,  光学特性 ,  表面トポグラフィー