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J-GLOBAL ID：201902241994732406   整理番号：19A0526880

還元酸化グラフェンを用いたSiベースNIR光検出器の応答性改善【JST・京大機械翻訳】

Responsivity improvement of Si-based NIR photodetector using reduced Graphene Oxide

著者 (3件)： Dehkharghani Mehrdad Naemi (Faculty of Electrical Engineering, Shaheed Rajaee Teacher Training University, Tehran, Iran, 16785-136) ,  Rajabi Ali (Faculty of Electrical Engineering, Shaheed Rajaee Teacher Training University, Tehran, Iran, 16785-136) ,  Amirmazlaghani Mina (Faculty of Electrical Engineering, Shaheed Rajaee Teacher Training University, Tehran, Iran, 16785-136)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEE  ページ： 523-526  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコンのバルク上にグラフェン酸化物(GO)を堆積させて作製した赤外光検出器近傍のSchottky接合を示し,次に熱を印加することにより低減した。注目すべきことに,この素子は還元グラフェン酸化物(RGO)/Si Schottky接合の強い光起電力挙動によりゼロ外部電圧バイアスで動作できる。850nmのIR LEDの下での素子の応答性は,ゼロと17Vの逆電圧バイアスでそれぞれ0.1μA/Wと3.5A/Wであった。特に逆バイアスモードで作製した素子の電流-電圧特性を報告した。ゼロ外部電圧バイアスにおいて,暗電流を測定したが,光電流は850nm IR LEDの180W/m2照射下で0.02mAに増加した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  *ケイ素 ,  電流電圧特性 ,  接合 ,  *光検出器 ,  光起電力 ,  バイアス ,  暗電流 ,  光電流 ,  *応答特性 ,  赤外線
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  Schottky接合 ,  *酸化グラフェン ,  *還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 還元酸化グラフェン ,  Si ,  検出器 ,  応答性