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J-GLOBAL ID：201902242177855525   整理番号：19A0177440

多機能集積回路の設計のための二次元金属フリー有機マルチフェロイック材料【JST・京大機械翻訳】

Two-Dimensional Metal-Free Organic Multiferroic Material for Design of Multifunctional Integrated Circuits

著者 (4件)： Tu Zhengyuan (School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Wu Menghao (School of Physics and Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, China) ,  Zeng Xiao Cheng (Department of Chemistry and Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Nebraska, United States) ,  Zeng Xiao Cheng (Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, University of Science and Technology of China, Anhui, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 8  号： 9  ページ： 1973-1978  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一二次元材料における強磁性と強誘電性の共存は,二次元材料ベース回路における多機能ユニットの集積にとって非常に望ましい。C_6N_8H有機ネットワークの理論的証拠を,強磁性と強誘電特性を共存させた最初の2D有機マルチフェロイック材料として報告した。2D C_6N_8Hネットワーク内の多モードプロトン移動による強誘電性は,ネットワークが空気に曝されると,酸素分子の促進により長距離プロトン移動モードが可能になる。このような酸素支援強誘電性は高いCurie温度と強誘電性と強磁性間の結合をもたらす。また,水素化と炭素ドーピングは,2D g-C_3N_4ネットワークを絶縁体から適度なバンドギャップをもつn型/p型磁性半導体に変換できることを見出した。シリコンウエハにおけるドーパントに誘起されたn/pチャネルに対して,種々のドーパント生成機能ユニットを,ナノ電子応用のための設計によって,g-C_3N_4ウエハに集積することができた。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸素 ,  水素化 ,  ネットワーク ,  ドーパント ,  *集積回路 ,  強磁性 ,  チャネル ,  バンドギャップ ,  多モード ,  *二次元 ,  絶縁体 ,  強誘電性
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *マルチフェロイック材料 ,  *多機能 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多機能 ,  集積回路 ,  設計 ,  マルチフェロイック材料