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J-GLOBAL ID：201902242342197049   整理番号：19A2184729

二次元半導体の電子輸送における面内および屈曲フォノン間の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interplay between in-plane and flexural phonons in electronic transport of two-dimensional semiconductors

著者 (11件)： Rudenko A. N. (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Rudenko A. N. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heijendaalseweg 135, NL-6525 AJ Nijmegen, Netherlands) ,  Rudenko A. N. (Theoretical Physics and Applied Mathematics Department, Ural Federal University, 620002 Ekaterinburg, Russia) ,  Lugovskoi A. V. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heijendaalseweg 135, NL-6525 AJ Nijmegen, Netherlands) ,  Mauri A. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heijendaalseweg 135, NL-6525 AJ Nijmegen, Netherlands) ,  Yu Guodong (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Yu Guodong (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heijendaalseweg 135, NL-6525 AJ Nijmegen, Netherlands) ,  Yuan Shengjun (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education and School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Yuan Shengjun (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heijendaalseweg 135, NL-6525 AJ Nijmegen, Netherlands) ,  Katsnelson M. I. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heijendaalseweg 135, NL-6525 AJ Nijmegen, Netherlands) ,  Katsnelson M. I. (Theoretical Physics and Applied Mathematics Department, Ural Federal University, 620002 Ekaterinburg, Russia)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 7  ページ： 075417  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低キャリア濃度での懸濁二次元材料の固有キャリア移動度を制限する支配的因子として面外振動を考慮した。面内と曲げフォノンモード間の非調和結合は通常考慮から除外される。ここでは,音響フォノン間の非調和結合が系統的に考慮される電子-フォノン散乱の理論を示した。著者らの理論を典型的なグループV二次元半導体:六方晶系リン,ヒ素およびアンチモンに適用した。曲げモードの役割は面内モードとの結合により本質的に抑制されることを見出した。[数式:原文を参照]より低いドーピングでは,移動度低下は30%を超えず,濃度にほとんど依存しない。著者らの発見は,面内フォノンと比較して,低キャリア濃度でも,二次元半導体の電子輸送において,曲げフォノンがかなり重要でないことを示唆した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アンチモン ,  ドーピング ,  リン ,  *相互作用 ,  六方晶系 ,  ヒ素 ,  懸濁液 ,  キャリア密度 ,  *フォノン ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 音響フォノン ,  フォノンモード ,  二次元材料 ,  *電子輸送 ,  *二次元半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二次元半導体 ,  電子輸送 ,  屈曲 ,  フォノン ,  相互作用