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J-GLOBAL ID:201902242528993514   整理番号:19A0511444

全NbTiN同調回路と集積したNb/AlN/Nb接合を用いたテラヘルツSISミキサの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of Terahertz SIS Mixers Using Nb/AlN/Nb Junctions Integrated With All-NbTiN Tuning Circuits
著者 (10件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 1-5  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,NbTiN/SiO_2/NbTiNマイクロストリップ同調回路を集積したNb/AlN/Nbトンネル接合を用いた超伝導体-絶縁体-超伝導体(SIS)混合器を,Atacama大型ミリメートル/サブミリメータアレイ(ALMA)Band10(0.78~0.95THz)用に設計した。同調回路を設計するために,テラヘルツ時間領域分光法を用いて,石英基板上に直接蒸着した比較的厚いNbTiN膜の複素伝導率を,マイクロストリップとしてRFスパッタSiO_2上に直接的に導出した。結果は,両方の膜の伝導率が修正Mattis-Bardeen理論によって記述できることを示した。また,電極の体積を変えることにより,NbTiN回路に埋め込まれたNb電極における準粒子トラッピングに起因する接合加熱効果を調べた。NbTiN配線に接触する厚い(~200nm)対向電極を持つNb/AlN/Nbトンネル接合の電流-電圧曲線は,薄い(~50nm)電極を持つものよりも高いギャップ電圧と減少したバック曲げを示すことを確認した。これらの知見を利用して,15kA/cm2の電流密度と全NbTiN同調回路を持つNb/AlN/Nb接合を用いた設計したSIS混合器は,良好な感度でBand10をカバーする可能性がある。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
人工知能  ,  パターン認識  ,  自然語処理 

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