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J-GLOBAL ID：201902242729162237   整理番号：19A2766208

新しいナノ材料とナノデバイスのための中性ビーム技術:原子層レベルでの欠陥形成の抑制【JST・京大機械翻訳】

Neutral-Beam Technologies for Novel Nanomaterials and Nanodevices: Suppressing the Formation of Defects at the Atomic Layer Level

著者 (1件)： Samukawa Seiji (Materials Research, Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan)
資料名： IEEE Nanotechnology Magazine  (IEEE Nanotechnology Magazine)
巻： 13  号： 6  ページ： 21-33  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2236A  ISSN： 1932-4510  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマプロセス技術の進歩は半導体デバイスの小型化と集積化の進歩に直接貢献した。半導体デバイスはナノスケール領域に達するが,欠陥や損傷はプラズマから放出される荷電粒子や紫外線(UV)によって引き起こされ,同程度のバルク材料よりも大きな表面を持つナノデバイスの特性を大きく損なう。したがって,プラズマ処理における電荷蓄積とUV損傷を抑制または制御する方法を開発することは不可欠である。開発した中性ビーム(NB)プロセスIは,処理表面上の原子層レベルで欠陥の形成を抑制し,室温で理想的な表面化学反応を起こすことを可能にした。将来の革新的ナノデバイスの創出に不可欠である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 紫外線 ,  帯電 ,  *中性粒子ビーム ,  *ナノ材料 ,  プラズマ処理 ,  プラズマ ,  半導体素子 ,  荷電粒子 ,  小型化
準シソーラス用語： 表面化学反応 ,  ナノスケール ,  *欠陥形成 ,  *原子層 ,  *ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ材料 ,  ナノデバイス ,  中性ビーム ,  原子層 ,  欠陥形成