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J-GLOBAL ID:201902242901525303   整理番号:19A1415942

窒化ケイ素膜中のAuナノ粒子の核形成と成長に対するElectron照射効果【JST・京大機械翻訳】

Electron irradiation effects on the nucleation and growth of Au nanoparticles in silicon nitride membranes
著者 (5件):
資料名:
巻: 122  号: 16  ページ: 165301-165301-9  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Au+イオン注入窒化けい素薄膜と膜におけるAuナノ粒子(NPs)の形成を,80,120,160,および200keVのエネルギーでのポスト注入熱処理または室温電子照射の関数として調べた。試料をRutherford後方散乱分光法と透過Electron顕微鏡によって特性化した。高温熱アニーリング(1100°C,1h)は平均直径≒1.3nmのAu粒子の形成をもたらした。比較において,80から200keVまでのエネルギーでの室温電子照射は,2つの成長領域に従ってより大きなAu粒子の形成を引き起こした。第一の領域は遅い成長速度によって特性化され,窒化ケイ素膜内で起こる。第二の領域は速い成長速度を示し,Au原子が膜の背面自由表面に露出すると開始する。現実的な二元電子-原子弾性衝突断面積を用いて,観察されたナノ粒子成長と膜スパッタリング現象を解析した。得られた結果は,NとSi原子のスパッタリングに対する臨界変位エネルギーが約14±3eVの場合,二元電子-原子弾性衝突が微細構造の修正を説明でき,表面に位置するAu原子の変位エネルギーは約1.25±0.2eVであることを示した。集束電子プローブを用いた照射実験は,このプロセスがナノ粒子形成の微細な制御を提供し,明確なサイズと位置をもたらすことを実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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金属薄膜  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  その他の無機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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