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J-GLOBAL ID：201902242960823246   整理番号：19A0396315

Schottky障壁ポテンシャルの修正を用いた量子井戸構造を持つPd(100)超薄膜における磁化の操作【JST・京大機械翻訳】

Manipulation of magnetization in Pd(100) ultrathin films with quantum well structure using modification of Schottky barrier potentials

著者 (3件)： Tanabe Hidetake (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan) ,  Sakuragi Shunsuke (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa 277-8581, Japan) ,  Sato Tetsuya (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama 223-0061, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 114  号： 5  ページ： 052404-052404-4  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子井戸状態による強磁性を示すPd(100)超薄膜の磁化を,印加バイアス電圧により量子井戸状態を変えることにより操作した。Pd/SrTiO_3-x/Ti/Auの磁気モーメントの電圧依存性はPd膜厚に本質的に依存する。磁気モーメントの誘起変化は,Pd薄膜と半導体SrTiO_3-x基板間の界面における位相シフトの変調に起因する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 膜厚 ,  界面 ,  磁気モーメント ,  *Schottky障壁 ,  *薄膜 ,  *量子井戸 ,  位相シフト ,  電圧依存性 ,  半導体 ,  *超薄膜 ,  *パラジウム ,  基板 ,  強磁性 ,  印加電圧
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Schottky障壁 ,  ポテンシャル ,  量子井戸 ,  PD ,  薄膜 ,  磁化