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J-GLOBAL ID：201902243098082394   整理番号：19A0464477

パワー半導体デバイスとスマートパワーIC技術に関するゲスト論説【JST・京大機械翻訳】

Guest Editorial Special Issue on Power Semiconductor Devices and Smart Power IC Technologies

著者 (5件)： Ng Wai Tung (University of Toronto, Toronto, ON, Canada) ,  Udrea Florin (University of Cambridge, Cambridge, United Kingdom) ,  Omura Ichiro (Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Vobecky Jan (ABB Switzerland Ltd. Semiconductors, Switzerland) ,  Disney Don (GLOBALFOUNDRIES, Santa Clara, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 3  ページ： 654-658  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力半導体デバイスは,1950年代後半にサイリスタの導入以来,電子デバイス技術の主流となっている。過去60年において,電子デバイスとVLSI技術は前例のない変化を経てきた。最先端の性能は,1965年に導入されたので,有名なMooreの法則に従って,密接に進歩した。現在の技術動向は,パッケージと3D統合におけるシステムに重点を置いた「More Than Moore」ロードマップである。この期間にわたって,1970年代の数ミクロンから2017年における10nmの生産準備過程まで,装置の特徴サイズを縮小することができた。同時に,パワー半導体デバイスもこれらの進歩から著しく利益を得た。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超LSI ,  *半導体素子 ,  三次元 ,  サイリスタ ,  電力 ,  *電力トランジスタ
準シソーラス用語： ロードマップ ,  技術動向 ,  Mooreの法則 ,  最先端 ,  電子素子 ,  *スマート電力技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー ,  半導体デバイス ,  パワーIC