電気検出磁気共鳴法により研究した高分子ダイオードの結晶相で発生したElectron-正孔対【JST・京大機械翻訳】

Iwamoto Kousuke; Hayakawa Yuto; Hatanaka Shuto; Suzuki Takayuki; Kanemoto Katsuichi; Kanemoto Katsuichi

文献

J-GLOBAL ID：201902243575866483 整理番号：19A2670595

電気検出磁気共鳴法により研究した高分子ダイオードの結晶相で発生したElectron-正孔対【JST・京大機械翻訳】

Electron-Hole Pairs Generated in the Crystalline Phase of Polymer Diodes Studied by Electrically Detected Magnetic Resonance Techniques

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資料名：
巻： 123 号： 43 ページ： 26116-26123 発行年： 2019年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

動作ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)ダイオードで発生した電子-正孔(e-h)対の性質を電気的に検出した磁気共鳴(EDMR)法により調べた。EDMR強度は与えられた正孔密度に対する注入電子の密度の増加と共に増加することを示し,EDMR信号がe-h対から生じることを実証した。EDMRスペクトルは二つのGauss曲線から成り,その一つは正孔キャリアのそれに非常に類似したg値を与え,EDMRスペクトルは正孔からの電子スピン共鳴(ESR)スペクトルと電子キャリア形成e-h対の和により与えられることを示唆した。ダイオード動作下のキャリアとe-h対の間のBias依存相関を,キャリアに対する近赤外(NIR)分光法とe-h対に対するEDMRの独立測定から直接調べた。バイアスが閾値以上に増加すると,EDMR信号はNIR信号の漸進的増加にもかかわらず強く減少し,e-h対がバイアス領域の電場により解離するという証拠を与えた。この対の性質のために,ダイオードの内部のキャリアとe-h対の間の相関はバイアスの大きさに依存して変化する。キャリアとe-h対は共存するか,キャリアのみが存在する。e-h対はP3HT膜の結晶相のために異なるラメラを横切って形成されると推定される。層間e-h対からのEDMR信号の強度は小さいが,試料を空気に曝露すると強度は実質的に増大し,酸素を組み込んだ磁気反応性種の形成を示唆した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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