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J-GLOBAL ID：201902243668092553   整理番号：19A0180797

高出力成長ロバストInGaAs/InAlAsテラヘルツ量子カスケードレーザ【JST・京大機械翻訳】

High-Power Growth-Robust InGaAs/InAlAs Terahertz Quantum Cascade Lasers

著者 (28件)： Deutsch Christoph (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Deutsch Christoph (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Kainz Martin Alexander (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Kainz Martin Alexander (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Krall Michael (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Krall Michael (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Brandstetter Martin (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Brandstetter Martin (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Bachmann Dominic (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Bachmann Dominic (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Schoenhuber Sebastian (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Schoenhuber Sebastian (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Detz Hermann (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Detz Hermann (Austrian Academy of Sciences, Austria) ,  Zederbauer Tobias (Institute of Solid State Electronics, TU Wien) ,  Zederbauer Tobias (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  MacFarland Donald (Institute of Solid State Electronics, TU Wien) ,  MacFarland Donald (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Andrews Aaron Maxwell (Institute of Solid State Electronics, TU Wien) ,  Andrews Aaron Maxwell (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Schrenk Werner (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Beck Mattias (Institute for Quantum Electronics, ETH Zurich, Switzerland) ,  Ohtani Keita (Institute for Quantum Electronics, ETH Zurich, Switzerland) ,  Faist Jerome (Institute for Quantum Electronics, ETH Zurich, Switzerland) ,  Strasser Gottfried (Institute of Solid State Electronics, TU Wien) ,  Strasser Gottfried (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien) ,  Unterrainer Karl (Photonics Institute, TU Wien, Austria) ,  Unterrainer Karl (Center for Micro- and Nanostructures, TU Wien)
資料名： ACS Photonics  (ACS Photonics)
巻： 4  号： 4  ページ： 957-962  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5045A  ISSN： 2330-4022  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた再現性をもつ低効率電子質量InGaAs/InAlAs半導体ヘテロ構造に基づく高出力テラヘルツ量子カスケードレーザについて報告した。界面粗さとドーパント移動の形における成長関連非対称性は,この材料系において重要な役割を果たす。これらのバイアス極性依存現象を,成長方向に優先的な電子輸送をもたらす公称対称活性領域を用いて研究した。このバイアス方向に対して3井戸光学フォノン空乏法に基づく構造を最適化した。シートドーピング密度に依存して,この構造の性能は,高い最大動作温度と高出力パワーの間のトレードオフを示した。155Kの最高動作温度が2×10~10cm-2の中程度のシートドーピング密度で観測されたが,151mWの最高ピーク出力パワーが7.3×10~10cm-2に対して見出された。さらに,最高のドーピングレベルをもつデバイスに超半球GaAsレンズを切断することにより,二重金属導波路構造に対して587mWの記録出力パワーを達成した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子カスケードレーザ ,  ドーピング ,  バイアス ,  導波路 ,  半導体 ,  対称性 ,  *ヒ化ガリウム ,  *テラヘルツ波 ,  最適化 ,  再現性 ,  レンズ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ドーパント
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 量子カスケードレーザ ,  テラヘルツ ,  低有効質量 ,  分子ビームエピタクシー ,  量子化遷移 ,  ナノ構造

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  成長 ,  ロバスト ,  InGaAs ,  InAlAs ,  テラヘルツ ,  量子カスケードレーザ