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J-GLOBAL ID:201902243777872772   整理番号:19A2673746

PEDOT-PSS/ポリシロキサンとポリシルセスキオキサンオキサンハイブリッドに基づくNIR遮蔽膜【JST・京大機械翻訳】

NIR-shielding films based on PEDOT-PSS/polysiloxane and polysilsesquioxane hybrid
著者 (9件):
資料名:
巻: 137  号:ページ: e48367  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0467A  ISSN: 0021-8995  CODEN: JAPNAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン及びポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(4-スチレンスルホン酸塩(PEDOT-PSS)に基づく近赤外(NIR)遮蔽膜をゾル-ゲル反応により合成した。PEDOT-PSSの水性分散によるオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)またはメチルトリエトキシシラン(MTES)の相分離混合物は,撹拌後に深青色均一分散ゾルを形成した。スピンコーティングと加熱によりガラス基板上に均一に分散したゾルを堆積することにより薄膜を調製した。PEDOT-PSS/TEOS膜は10被覆後に均一な平坦表面を維持した。MTESベースの膜は,不均一表面を有する運動パターンを示した。10層TEOSベース膜は,中程度の可視透過率を有する高いNIR遮蔽特性を有した。PEDOT-PSS/TEOSハイブリッドによるNIR吸収は空気温度上昇を抑制した。5層TEOSベース膜は,錫ドープ酸化インジウムガラスと比較して,類似のNIR遮蔽能とわずかに低い可視光透過率を示した。10層TEOSベース膜は非被覆ガラス基板より15.6%低い温度上昇を示した。特に,これは環境に優しいNIR遮蔽材料である。J.Appl.Pol.2020,137,48367.Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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高分子固体の物理的性質  ,  高分子固体の構造と形態学 
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