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J-GLOBAL ID：201902243908568236   整理番号：19A2399288

Mott絶縁トンネル接合ネットワークとしてのフォノン加工Nb膜【JST・京大機械翻訳】

Phonon-engineered Nb film as a Mott-insulating tunnel-junction network

著者 (1件)： Zen Nobuyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Nanoelectronics Research Institute, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 9  号： 9  ページ： 095023-095023-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,フォノン工学を金属に適用した。抑制されたフォノン分枝は金属中の電子-フォノン相互作用を増強すると期待される。独立抵抗と磁化測定から,純粋な非ドープ金属では観測されなかったMott転移が確認された。周期的に穿孔されたNb膜を繰り返し冷却し,加温することにより,隣接する穴の間に残された狭いNbブリッジがMott絶縁ブリッジに変換される。これらのMott絶縁性ブリッジが隣接金属Nbアイランドを接続する連続体はトンネル接合ネットワークを形成し,それは大量集積単一電子デバイスを実装するために用いることができる。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属 ,  連続体 ,  *ニオブ ,  *トンネル接合 ,  電子-フォノン相互作用 ,  磁化特性測定 ,  *フォノン ,  ドーピング ,  *ネットワーク ,  Mott転移
準シソーラス用語： 単一電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁 ,  トンネル接合 ,  フォノン ,  Nb