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J-GLOBAL ID：201902244018884364   整理番号：19A1521205

MgO上のSrTiO₃/TiO₂薄膜のエピタキシャル成長と誘電応答に及ぼすBa_0.7Sr_0.3TiO₃バッファ層の強い影響

Strong impact of SrTiO₃/TiO₂ buffer layer on epitaxial growth and dielectric response of Ba_0.7Sr_0.3TiO₃ thin films on MgO

著者 (4件)： KONDO Shinya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMADA Tomoaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YOSHINO Masahito (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAGASAKI Takanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 9  ページ： 0902B1.1-0902B1.5  発行年： 2018年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO₃(STO)/TiO₂バッファ層を導入することにより,MgO上のペロブスカイト誘電体膜のエピタキシャル成長の著しい改善を実証し,誘電応答を増強した。270nm厚(001)-エピタキシャル(Ba,Sr)TiO₃(BST)膜を,SrRuO₃(SRO)底部電極を有するSTO/TiO₂バッファMgO上へのパルスレーザ蒸着によって蒸着した。SRO/MgO上に直接堆積させた膜は三次元モードで成長し,ほとんど緩和された歪をもつ粗くて結晶性の低い膜をもたらした。他方,バッファ層を有する膜は二次元モードで成長し,大きな圧縮歪(-0.80%)を有する平坦で結晶性の高い膜をもたらした。その結果,常誘電-強誘電相転移温度は220°C上昇し,1000以上の面外誘電率を達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *酸化チタン ,  多層膜 ,  *エピタクシー ,  *応答 ,  ストロンチウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  バリウム化合物 ,  *バッファ層 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  緩和現象 ,  結晶度 ,  誘電転移 ,  転移温度 ,  誘電率 ,  *二酸化チタン ,  *誘電応答 ,  チタン酸バリウムストロンチウム ,  強誘電相転移 ,  誘電フィルム
準シソーラス用語： 積層膜 ,  *エピタキシャル成長 ,  誘電体膜 ,  歪緩和 ,  結晶性 ,  相転移温度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (34件)：

• R. E. Stephens and I. H. Malitson, J. Res. Natl. Bur. Stand. 49, 249 (1952).
• P. Tang, A. L. Meier, D. J. Towner, and B. W. Wessels, Opt. Lett. 30, 254 (2005).
• D. Y. Wang, K. P. Lor, K. K. Chung, H. P. Chan, K. S. Chiang, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Thin Solid Films 510, 329 (2006).
• F. J. Walker, R. A. McKee, H. W. Yen, and D. E. Zelmon, Appl. Phys. Lett. 65, 1495 (1994).
• P. Girouard, P. Chen, Y. K. Jeong, Z. Liu, S. T. Ho, and B. W. Wessels, IEEE J. Quantum Electron. 53, 5200110 (2017).

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  TiO2 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  誘電応答 ,  バッファ層