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J-GLOBAL ID：201902244314239027   整理番号：19A2011590

エピタキシャルHfGe_2形成によるHf-ゲルマニウム化物/n-Ge(001)接触のSchottky障壁高さのさらなる低減【JST・京大機械翻訳】

Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe₂

著者 (5件)： Senga Kazuki (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Shibayama Shigehisa (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Sakashita Mitsuo (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Zaima Shigeaki (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan) ,  Nakatsuka Osamu (Nagoya University, Nagoya, Aichi, 464-8603, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IWJT  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能Geチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を実現するために,寄生抵抗の低減は最も重要な課題の1つである。しかし,金属/n-Ge界面における接触抵抗率を0.5~0.6eVの高いSchottky障壁高さ(SBH)のために減少させることは一般的に困難であり,金属のFermi準位はGeの価電子帯端にピン止めされる。良く知られたFermi準位ピン止め(FLP)現象[2],[3]。FLPに対するかなりの理由の一つは,金属/Ge界面におけるダングリングボンドによる無秩序誘起ギャップ状態である。エピタキシャル金属/Ge界面がFLPを緩和するいくつかの報告があり,SBHはFe3Si/n-Ge(111)[5],Mn3Ge5/n-Ge(111)[6],NiGe/n-Ge(110)接触[7]で低下できる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子バンド ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  MOSFET ,  ダングリングボンド ,  酸化物 ,  チャネル ,  *エピタクシー ,  界面 ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  無秩序性 ,  *Schottky障壁高さ
準シソーラス用語： 比接触抵抗 ,  寄生抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  HF ,  ゲルマニウム ,  Ge ,  Schottky障壁高さ