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J-GLOBAL ID：201902244782242709   整理番号：19A0511968

低温成長により制御されたBaHfO_3ナノロッドを持つSmBa_2Cu_3O_y超伝導膜における粒界での渦糸ピン止め特性【JST・京大機械翻訳】

Vortex Pinning Properties at Grain Boundary in SmBa2Cu3 ${¥text{O}}_{y}$ Superconducting Films With BaHfO3 Nanorods Controlled via Low-Temperature Growth

著者 (5件)： Miura Shun (Department of Energy Engineering and Science, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan) ,  Ichino Yusuke (Department of Energy Engineering and Science, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan) ,  Yoshida Yutaka (Department of Energy Engineering and Science, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan) ,  Ichinose Ataru (Central Research Institute of Electric Power Industry, Yokosuka, Kanagawa, Japan) ,  Tsuruta Akihiro (Department of Energy Engineering and Science, Nagoya University, Chikusa-ku, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.8001505.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SmBa_2Cu_3O_y(SmBCO)超伝導膜における人工結晶粒界(GB)における輸送特性に及ぼすBaHfO_3(BHO)ナノロッドの配置の影響を調べた。GBsにおけるナノロッドの配置を制御するために,シード層技術を採用したパルスレーザ蒸着法により750°Cの比較的低い成長温度で,5°[001]傾斜双結晶(LaAlO_3)_0.3(SrAl_0.5Ta_0.5O_3)_0.7基板上に3.0vol%BHOドープSmBCO膜を堆積した。輸送結果によると,GBsにおける臨界電流密度(J_c)は,低磁場でナノロッドを有する膜において改善された。さらに,J_cの場角度依存性も,広い範囲の磁場方向に対して,B/cに対して広いピークをもって改善された。GBsにおけるBHOナノロッドは,GBにおいて種々の方向をもつAbrikosov-Josephson(AJ)渦をピン止めすると推定した。AJ渦ピン止めはGBにおけるピン止め中心の配置によって制御できる。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  ドーピング ,  角度依存性 ,  臨界電流密度 ,  *ナノロッド ,  *超伝導薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *ピン止め ,  双結晶 ,  弱磁場 ,  *結晶粒界
準シソーラス用語： シード層 ,  輸送特性 ,  *渦糸 ,  *低温成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音響信号処理  (BB03050C) ,  数値計算  (JE02000J) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温成長 ,  ナノロッド ,  超伝導膜 ,  粒界 ,  渦糸 ,  ピン止め