文献

J-GLOBAL ID：201902244842462563   整理番号：19A1414298

電気二重層ゲートによる金属量子点接触におけるコンダクタンスの電場制御【JST・京大機械翻訳】

Electric-field control of conductance in metal quantum point contacts by electric-double-layer gating

著者 (6件)： Shibata K. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, Sendai 982-8577, Japan) ,  Yoshida K. (Center for Photonics Electronics Convergence, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Daiguji K. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, Sendai 982-8577, Japan) ,  Sato H. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, Sendai 982-8577, Japan) ,  Ii T. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tohoku Institute of Technology, Sendai 982-8577, Japan) ,  Hirakawa K. (Center for Photonics Electronics Convergence, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 15  ページ： 153104-153104-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液体ゲート電気二重層(EDL)トランジスタ構造を採用することにより,金属(金)量子点接触(QPCs)における量子化コンダクタンスの電場制御を実証した。金ナノ接合にフィードバック制御電気破壊接合法を適用することにより,原子スケールの金QPCsを作製した。金QPCsにおける電気伝導度は量子コンダクタンスプラトーを示し,EDLゲート電圧が掃引されるにつれて,コンダクタンス量子,G_0=2e~2/hにより段階的に増加/減少し,EDLゲーティングによる金QPCsのコンダクタンスの変調を実証した。金属QPCsにおけるコンダクタンスの電場制御は,室温での局所電荷センシングへの応用の道を開く可能性がある。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *金 ,  フィードバック制御 ,  電荷 ,  電気伝導率 ,  *電気二重層 ,  トランジスタ ,  *コンダクタンス ,  接合
準シソーラス用語： ゲーティング ,  ゲート電圧 ,  原子スケール ,  ナノ接合 ,  量子コンダクタンス ,  *量子点接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気二重層 ,  ゲート ,  量子点接触 ,  コンダクタンス ,  電場制御