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J-GLOBAL ID：201902245057062927   整理番号：19A1095258

スピネル型フェライト薄膜を含むスピントロニクスデバイスの開発

著者 (4件)： 長浜太郎 (北大 工) ,  高橋望 (北大 工) ,  安井彰馬 (北大 工) ,  島田敏宏 (北大 工)
資料名： 日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集
巻： 2018  ページ： 10  発行年： 2019年 
JST資料番号： F1026A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.諸言スピントロニクスは電子の電荷とスピンという2つの特性を活かし、新たな機能を持った電子デバイスの実現を目指す研究分野である。そのような研究には、高機能な磁性薄膜の開発が不可欠である。一般的にはFeやCoおよびその合金材料などの金属磁性...【本文一部表示】

シソーラス用語： *フェライト ,  *薄膜 ,  *スピントロニクス ,  MBE成長 ,  RHEED ,  *TMR素子 ,  金属性 ,  酸化鉄 ,  *スピネル型フェライト ,  ハーフメタル性 ,  四酸化三鉄
準シソーラス用語： *スピントロニクス素子 ,  *トンネル磁気抵抗素子

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピネル型フェライト ,  薄膜 ,  スピントロニクスデバイス ,  開発