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J-GLOBAL ID：201902245078268041   整理番号：19A2753874

共役/絶縁ポリマーブレンドエレクトレットを用いた多準位フォトニックトランジスタメモリデバイス【JST・京大機械翻訳】

Multilevel Photonic Transistor Memory Devices Using Conjugated/Insulated Polymer Blend Electrets

著者 (7件)： Shih Chien-Chung (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University) ,  Shih Chien-Chung (Advanced Research Center for Green Materials Science and Technology, National Taiwan University) ,  Chiang Yun-Chi (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University) ,  Hsieh Hui-Ching (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University) ,  Lin Yan-Cheng (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University) ,  Chen Wen-Chang (Department of Chemical Engineering, National Taiwan University) ,  Chen Wen-Chang (Advanced Research Center for Green Materials Science and Technology, National Taiwan University)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 11  号： 45  ページ： 42429-42437  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトニックデータストレージには,光センシングや記録,集積画像回路,マルチビット蓄積フラッシュメモリなどの多様なオプトエレクトロニクス応用がある。本研究では,メモリ特性に関するブレンド組成,エネルギー準位アラインメントおよび形態を調べることにより,フォトニック電界効果トランジスタメモリデバイスのための電荷貯蔵エレクトレットとして共役/絶縁高分子ブレンドを用いた。研究した共役重合体はポリ-(9,9-ジ-n-オクチルフルオレンイル-2,7-ジイル(PF),ポリ-[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン(MEH-PPV),ポリ-[{2,5-ジ-(3′,7′-ジメチルオクチルオキシ)-1,4-フェニレン-ビニレン}-co-{3-(4′-(3′′,7′′-ジメチルオクチルオキシ)-フェニル)-1,4-フェニレンビニレン}-co-{3-(3′-(3′,7′-ジメチルオクチルオキシ)-フェニル)-1,4-フェニレンビニレン})(SY-PPV),及びポリ-[(9,9-ジ-n-オクチルフルオレンイル-2,7-ジイル)-alt-(ベンゾ-[2,1,3]-thiadiazol-4,8-ジイル(F8BT)を含み,絶縁重合体はポリスチレン(PS)及びポリ-(メタクリル酸メチル)(PMMA)であった。PF/PSブレンドエレクトレットを用いたフォトニックメモリデバイスは,1秒以内に光書込みと電圧消去プロセスを伴う動的スイッチング挙動を示し,10~6以上の電流/オフ比と3か月以上の保持時間に対して高いコントラストを示した。さらに,表面電位分析によって支持された,405,450,および520nmの異なる光源またはエネルギー強度を用いて,マルチレベルメモリ挙動を観察することができた。この特性は,蛍光分析により支持されたPSのより高い電荷貯蔵挙動により,PF/PMMAブレンドを用いた素子の特性よりも優れていた。クロロベンゼン溶媒から調製したPF/PSブレンド膜は,PSマトリックス中にメッシュ状で凝集したPFドメインを示し,半導体とブレンドエレクトレットの間の接触表面積を強化し,より高いメモリウィンドウをもたらした。光応答光源を変えることにより,低バンドギャップ高分子,MEH-PPV,SY-PPV,またはF8BTをもつPSのブレンドエレクトレットにおいて,フォトニックメモリ挙動も観測された。本研究は,マルチレベルフォトニックメモリ素子に適用する新しいエレクトレットシステムを実証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  コントラスト ,  *エレクトレット ,  バンドギャップ ,  光源 ,  *共役 ,  電流 ,  ポリマブレンド ,  半導体 ,  *記憶装置 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  オプトエレクトロニクス ,  帯電 ,  電圧 ,  アラインメント

著者キーワード (5件)： フォトニックトランジスタメモリ ,  エレクトレット ,  ポリマーブレンド ,  エネルギーレベル ,  マルチレベル

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (2件)： 共役 ,  絶縁