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J-GLOBAL ID：201902245181146629   整理番号：19A0524322

位相脚回路におけるp-GaNゲートを持つノーマリオフGaNトランジスタのスイッチング過渡解析【JST・京大機械翻訳】

Switching transient analysis for normally-off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-leg circuit

著者 (10件)： Xie Ruiliang (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Xu Guangzhao (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Yang Xu (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Wang Hanxing (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Tian Mofan (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Tian Yidong (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Zhang Feng (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Chen Wenjie (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Wang Laili (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Shaanxi, Xi’an, China) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECCE  ページ： 399-404  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)トランジスタは,高周波,低損失,小サイズの電力変換器を作るための有望な候補として出現している。正常オフを実現するために,p-GaNゲート技術は,商業的に利用可能なGaNベースのパワーデバイスに広く採用されている。しかし,素子構造の違いにより,ゲート領域に関する固有キャパシタンスはSi MOSFETのそれらから変化する。さらに,ドレインバイアスの上昇とともに,ゲート領域の正味電荷の変化は,GaNトランジスタの閾値電圧を不安定にすることができた。従って,GaNトランジスタのスイッチング過渡波形は,上述の因子により著しく影響され,Si MOSFETに対する一般的に用いられる解析法は十分ではない。本研究において,閾値電圧不安定性を最初に解析して,それはドレイン対ゲート電圧ストレスに関連した。ゲート関連容量とそれらの動的挙動を直接測定する困難さのために,ハイブリッド物理的挙動モデリング法を提案した。これは,ゲート関連容量と静的測定からのバイアスの間の関係を抽出することができる。次に,提案した解析法をGaNベースの位相脚回路に実装した。実験結果と最も進歩した解析のシミュレーション波形との比較により,提案した解析手法は優れた性能を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力変換器 ,  *窒化ガリウム ,  バイアス ,  素子構造 ,  *位相 ,  不安定性 ,  電荷 ,  *トランジスタ ,  モデリング ,  静電容量 ,  シミュレーション ,  MOSFET
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  閾値電圧 ,  *スイッチング過渡現象 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 位相 ,  脚 ,  GaN ,  ゲート ,  トランジスタ ,  スイッチング ,  過渡解析