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J-GLOBAL ID：201902245311951734   整理番号：19A2619267

STEM Moire法によるInP/InGaAs/InP構造の歪みと組成分布の評価

著者 (3件)： CHEN T (北陸先端科学技術大学院大) ,  赤堀誠志 (北陸先端科学技術大学院大) ,  大島義文 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-E318-3  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： InP/InxGa1-xAs(001)界面に形成される二次元電子ガス(2DEG)の電子移動度は、In濃度xが高くなるにつれて向上することが報告されている[1]。XRD法によって、InP/InxGa1-xAs界面の歪み分布は計測されているが、...【本文一部表示】

シソーラス用語： リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *格子歪 ,  二次元電子ガス ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  計測 ,  干渉縞 ,  分布 ,  置換型固溶体 ,  化学組成 ,  素子構造
準シソーラス用語： Moire法 ,  *STEM【顕微鏡】 ,  モアレ縞 ,  *ヘテロ構造 ,  組成分布

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： STEM ,  Moire法 ,  InP ,  InGaAs ,  歪み ,  組成分布 ,  評価