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J-GLOBAL ID：201902245315343330   整理番号：19A2302750

Si(001)基板上のペンタセン薄膜の初期成長【JST・京大機械翻訳】

Initial Growth of Pentacene Thin Film on Si(001) Substrate

著者 (3件)： Suzuki T. (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan) ,  Yagyu K. (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan) ,  Tochihara H. (Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 123  号： 5  ページ： 2996-3003  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 清浄Si(001)-2×1基板上のペンタセン分子の初期成長過程を走査型トンネル顕微鏡で調べた。結晶性ではなく無秩序な濡れ層が第一結晶層の成長の前に形成されることが分かった。濡れ層は,フルに吸着したペンタセン分子の二重層から成る。ぬれ二重層の形成を考察した。自立ペンタセン分子を有する不規則濡れ層上に成長させた第一結晶層は,それらの結晶構造において異なるいくつかのドメインから成る。それらの中で,新しいペンタセン結晶構造が最初の層上にのみ形成できることが分かった。対照的に,第二結晶層は単一ドメインのみを有した。さらに,電流-電圧測定によりペンタセン層の電子特性を調べた。ペンタセン層は約4eVのバンドギャップをもつ半導体である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 濡れ ,  結晶 ,  *基板 ,  半導体 ,  *薄膜 ,  電流 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  結晶構造 ,  バンドギャップ ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 単分域 ,  ドメイン構造 ,  二重層 ,  濡れ層 ,  *初期成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  初期成長