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J-GLOBAL ID:201902245444146961   整理番号:19A0301542

65nm CMOSによる68~79GHz 15.6dBm電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

A 68-79 GHZ 15.6DBM Power Amplifier in 65NM CMOS
著者 (4件):
資料名:
巻: 2018  号: APMC  ページ: 1522-1524  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,65nm CMOS技術における68~79GHzの完全集積電力増幅器(PA)を提示した。PAは,中和コンデンサを持つ3段擬似差動共通ソース増幅器と,整合と線形性を改善するための変換ベース整合ネットワークで設計される。直列電力結合により,結合器とバーンを1つの変圧器に併合し,このトポロジーは電力結合の効率を改善し,コンパクトな面積を達成する。測定結果は,PAが17%のピークPAEを有する15.6dBmの飽和出力を提供することを示した。出力1-dB圧縮点(P_ldB)は12.6dBmであった。最大電力利得は22dB,3dB帯域幅は68~79GHzである。PAのコア領域は,PADsのない場合にのみ,O.14mm2である。電力消費は1Vの供給電圧下で195mWである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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