文献

J-GLOBAL ID：201902245482816504   整理番号：19A2743420

高分解能光波長検出のための両極性光応答性を有するMOS _2/HfO_2/ケイ素-On-絶縁体二重光ゲートトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

MoS₂/HfO₂/Silicon-On-Insulator Dual-Photogating Transistor with Ambipolar Photoresponsivity for High-Resolution Light Wavelength Detection

著者 (13件)： Deng Jianan (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zong Lingyi (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Zhu Mingsai (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liao Fuyou (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Xie Yuying (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Guo Zhongxun (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Liu Jian (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Lu Bingrui (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Wang Jianlu (Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Hu Weida (Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Bao Wenzhong (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Wan Jing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai, 200433, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 29  号： 46  ページ： e1906242  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D材料に基づく光ゲーティング検出器は,重要な研究関心を引き付ける。しかし,これらの光検出器の大部分は入射強度に敏感であり,異なる波長を区別する能力を欠いている。これらの検出器に基づくカラー画像処理は,通常,1画素の真の色を復元するために,異なる光検出器において赤,緑,青(RGB)色を収集するための付加的な光フィルタアレイを必要とする。本研究において,波長識別能力を有するMoS _2/HfO_2/ケイ素-on-絶縁体電界効果フォトトランジスタを提示した。そこでは,光ゲーティング効果を,トップMoS_2ゲートと底面Si基板ゲートにおいて同時に形成することができた。これらの2つの個々の光ゲーティング効果は,それぞれ,中間の12nmのSiチャネルにおける読取電流を減少させ,増加させることができる。したがって,これらの二つのゲート上の印加電圧を調整することにより,素子を用いて,+7000A W~-1(Siボトムゲート支配)から0A W~-1(平衡)までの可変同調両極性光応答性を得ることができ,最終的に-8000A W~-1(MoS_2ゲートが支配)になる。さらに,実験結果は,ゼロ応答性(0A W~-1)点に対する対応するトップゲート電圧が,2nmまでの高分解能で入射波長の増加により正にシフトし,入射強度に鈍感であることを示した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 検出器 ,  フォトトランジスタ ,  *波長 ,  光検出器 ,  *絶縁体 ,  *トランジスタ ,  *ケイ素 ,  チャネル ,  二次元 ,  電流 ,  画素
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ゲーティング ,  *光応答 ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光波長検出 ,  MoS_2検出器 ,  光ゲーティング効果 ,  シリコンオンインシュレータ ,  調整可能な両極性光応答性

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高分解能 ,  光波長 ,  両極性 ,  光応答 ,  MOS ,  ケイ素 ,  絶縁体 ,  光ゲート ,  トランジスタ