異なる欠陥密度を持つグラフェンスタック上のCoFeB薄膜におけるGilbert減衰係数の外因性スピン-軌道結合誘起大変調【JST・京大機械翻訳】

Sinha Sumona; Pan Santanu; Choudhury Samiran; Sinha Jaivardhan; Barman Anjan

文献

J-GLOBAL ID：201902245488148681 整理番号：19A1888067

異なる欠陥密度を持つグラフェンスタック上のCoFeB薄膜におけるGilbert減衰係数の外因性スピン-軌道結合誘起大変調【JST・京大機械翻訳】

Extrinsic Spin-Orbit Coupling-Induced Large Modulation of Gilbert Damping Coefficient in CoFeB Thin Film on the Graphene Stack with Different Defect Density

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資料名：
巻： 121 号： 32 ページ： 17442-17449 発行年： 2017年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Gil減衰パラメータの制御は,種々のスピントロニクスおよびマグノニック装置に対して不可欠であり,そして,それを達成するために,種々の方式を試みた。数層グラフェン(FLG)からグラファイト層へのCoFeB薄膜の下層を変化させることにより,Gil減衰の大きな調整可能性を報告した。時間分解磁気光学Kerr効果(TR-MOKE)磁気測定を用いて,CoFeB,FLG/CoFeB,およびグラファイト/CoFeBの超高速磁化動力学を測定した。磁化歳差周波数は下層に依存しなかったが,Gil減衰係数αの値における非常に大きな変化(~200%)がFLG/CoFeB(α≒0.035±0.005)からグラファイト/CoFeB(α≒0.008±0.001)まで観察された。減衰係数のこの大きな変化は,FLGとグラファイト膜の外因性スピン-軌道相互作用により理解され,それは,それにおける大量の表面欠陥の存在により,FLGにおいて非常に大きい。グラファイト/CoFeB二層系では,FLG/CoFeBのそれよりも速い脱磁化時間と速い緩和時間(τ_1)が認められた。一般的に,界面スピン物理は,著者らの二層系からのCoFeB層の成長によって主に支配されると推論した。この発見は,歳差磁化動力学の制御に向けた新しい方向を示唆し,小型化高速磁気デバイスへの応用をもたらす。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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塩基,金属酸化物 , 原子・分子のクラスタ , 吸着の電子論 , 分子化合物 , その他の触媒

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