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J-GLOBAL ID：201902245781201450   整理番号：19A1416509

Gd_3N@C_80/Au界面におけるSchottky障壁に対する外部電場効果【JST・京大機械翻訳】

External electric field effects on Schottky barrier at Gd₃N@C₈₀/Au interface

著者 (8件)： Onishi Koichi (Department of Applied Science for Integrated System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Nakashima Fumihiro (Department of Applied Science for Integrated System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Jin Ge (Department of Applied Science for Integrated System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Eto Daichi (Department of Applied Science for Integrated System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Hattori Hayami (Department of Applied Science for Integrated System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Miyoshi Noriko (The Center for Instrumental Analysis, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Kirimoto Kenta (Department of Electrical and electronic Engineering, Kitakyushu National College of Technology, 5-20-1 shii, Kokuraminami, Kitakyushu-city, Fukuoka 802-0985, Japan) ,  Sun Yong (Department of Applied Science for Integrated System Engineering, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Senshuimachi, Tobata, Kitakyushu-city, Fukuoka 804-8550, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 6  ページ： 065102-065102-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Gd_3N@C_80/Au界面におけるSchottky障壁の高さに及ぼす外部電場の影響を,200Kから450Kまでの種々の温度における電流-電圧特性を測定することによって研究した。伝導/禁制/価電子エネルギーバンド構造を有するGd_3N@C_80試料は,数ナノメータの平均結晶粒サイズを有する面心立方結晶構造を有した。Gd_3N@C_80/Au Schottky障壁の高さは,室温で低電場で400meVであることを確認した。さらに,Gd_3N@C_80分子における[Gd_3]9+-[N3+C_80~6]双極子の分極により,Gd_3N@C_80試料における誘電率の変化を通して,外部電場の増加とともに高さは減少した。障壁高さの磁場依存性は,電場強度のパワーマッチ関数を用いて記述できる。磁場依存障壁高さの結果は,Schottky障壁の減少がGd_3N@C_80/Au界面における輸送電荷キャリアの鏡像力効果に起因することを示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒径 ,  磁場 ,  結晶構造 ,  温度依存性 ,  価電子 ,  誘電率 ,  *界面 ,  電界強度 ,  電流電圧特性 ,  *電場 ,  *Schottky障壁 ,  双極子
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  磁場依存性 ,  障壁高さ ,  *外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  界面 ,  Schottky障壁 ,  電場効果