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J-GLOBAL ID：201902246082133034   整理番号：19A2454870

高温注入法により調製されたケステライト-Cu_2zn_4ナノ結晶におけるセレン置換の効果の調査【JST・京大機械翻訳】

Probing the effect of selenium substitution in kesterite-Cu₂ZnSnS₄ nanocrystals prepared by hot injection method

著者 (15件)： Pandharkar Subhash (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Rondiya Sachin (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Bhorde Ajinkya (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Nair Shruthi (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Aher Rahul (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Vairale Priti (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Waghmare Ashish (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Naik Dhirsing (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Waykar Ravindra (School of Energy Studies, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Jadhav Yogesh (Department of Chemistry, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Haram Santosh (Department of Chemistry, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Ghosalya Manoj Kumar (Centre Physical and Material Chemistry Division, CSIR-NCL, Pune, India) ,  Gopinath Chinnakonda (Centre Physical and Material Chemistry Division, CSIR-NCL, Pune, India) ,  Prasad Mohit (Department of Physics, Savitribai Phule Pune University, Pune, India) ,  Jadkar Sandesh (Department of Physics, Savitribai Phule Pune University, Pune, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 30  号： 15  ページ： 14781-14790  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高温注入法により調製したCZTSナノ結晶におけるセレン(Se)による硫黄(S)置換の効果を報告する。X線回折(XRD),Raman分光法および透過型電子顕微鏡(TEM)分析により,ケステライト-銅亜鉛スズ硫化物(Cu_2ZnSnS_4,CZTS)および銅亜鉛すずセレン化物(Cu_2ZnSnSe_4,CZTSe)ナノ結晶の形成を確認した。XRD,TEMおよび原子間力顕微鏡(AFM)分析は,Se置換による平均結晶子サイズの全体的な増加を示した。AFM画像は,CZTS中のSがSeによって置換されるとき,二乗平均二乗表面粗さ(S_q)と平均表面粗さ(S_a)の増加を明らかにした。ホストCZTSにおけるSeによるSの置換は,光学バンドギャップを1.56から1.03eVに狭くした。紫外光電子分光法(UPS)分析は,CZTSと比較してCZTSeにおける価電子帯と伝導帯端のシフトを示した。合成CZTSe薄膜の光電流密度測定はCZTS薄膜より約4~5倍高かった。得られた結果は,CZTSeが光起電力応用における吸収体材料として有望な候補であることを示した。Copyright 2019 Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折分析 ,  セレン化物 ,  *高温 ,  Raman分光法 ,  価電子バンド ,  X線回折 ,  光起電力 ,  *セレン ,  薄膜 ,  電子顕微鏡観察 ,  *ナノ結晶 ,  硫化物 ,  画像 ,  光電流
準シソーラス用語： CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 注入 ,  調製 ,  ケステライト ,  ナノ結晶 ,  セレン ,  置換 ,  調査