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文献
J-GLOBAL ID:201902246231662224   整理番号:19A1303472

ポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(PBTTT-C16)を用いて作製したイオン液体ゲートトランジスタにおけるバイポーラロン形成に及ぼすアニオンの影響

Effect of Anions on Bipolaron Formation in Ionic-liquid-gated Transistors Fabricated with Poly(2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C16)
著者 (3件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 498-501(J-STAGE)  発行年: 2019年 
JST資料番号: U1704A  ISSN: 1348-0715  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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[EMIM][TFSI]または[EMIM][FAP]を用いて作製したPBTTT-C16イオン液体ゲートトランジスタで発生したキャリア,ポーラロンおよびバイポーラロンのタイプをRaman分光法を用いて同定した。ドーピングレベルは電気化学的測定から得られた。ドーピングレベルが増加すると,正のポーラロンが形成され,その後,正のバイポーラロンが形成され,優勢であった。ポーラロンからバイポーラロンへの遷移の臨界ドーピングレベルは[EMIM][TFSI]と[EMIM][FAP]に対してそれぞれ4.5と12mol%/π電子であった。大きなアニオンFAP-は高いドーピングレベルでもバイポーラロン形成を妨げた。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用 
物質索引 (2件):
物質索引
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引用文献 (25件):
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