ポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(PBTTT-C16)を用いて作製したイオン液体ゲートトランジスタにおけるバイポーラロン形成に及ぼすアニオンの影響

Enokida Ippei; Furukawa Yukio; Furukawa Yukio

文献

J-GLOBAL ID：201902246231662224 整理番号：19A1303472

ポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン(PBTTT-C16)を用いて作製したイオン液体ゲートトランジスタにおけるバイポーラロン形成に及ぼすアニオンの影響

Effect of Anions on Bipolaron Formation in Ionic-liquid-gated Transistors Fabricated with Poly(2,5-bis(3-hexadecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT-C16)

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資料名：
巻： 48 号： 5 ページ： 498-501(J-STAGE) 発行年： 2019年
JST資料番号： U1704A ISSN： 1348-0715 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

[EMIM][TFSI]または[EMIM][FAP]を用いて作製したPBTTT-C16イオン液体ゲートトランジスタで発生したキャリア,ポーラロンおよびバイポーラロンのタイプをRaman分光法を用いて同定した。ドーピングレベルは電気化学的測定から得られた。ドーピングレベルが増加すると,正のポーラロンが形成され,その後,正のバイポーラロンが形成され,優勢であった。ポーラロンからバイポーラロンへの遷移の臨界ドーピングレベルは[EMIM][TFSI]と[EMIM][FAP]に対してそれぞれ4.5と12mol%/π電子であった。大きなアニオンFAP^-は高いドーピングレベルでもバイポーラロン形成を妨げた。(翻訳著者抄録)

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著者キーワード (3件)： , ,

トランジスタ , ポーラロン,電子-フォノン相互作用

引用文献 (25件)：

1) M. Kaltenbrunner, M. S. White, E. D. Głowacki, T. Sekitani, T. Someya, N. S. Sariciftci, S. Bauer, Nat. Commun. 2012, 3, 770.
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5) C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Huang, D. J. Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Campi, B. K. Greening, J. Francl, J. West, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1088.

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