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J-GLOBAL ID:201902246249022856   整理番号:19A0969976

井戸構造1.3nm厚pn接合結晶の光電気化学特性【JST・京大機械翻訳】

Photoelectrochemical properties of a well-structured 1.3 nm-thick pn junction crystal
著者 (6件):
資料名:
巻: 55  号: 31  ページ: 4586-4588  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0376B  ISSN: 1359-7345  CODEN: CHCOFS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ナノシートの積層により調製した1.3nm厚の水酸化ニッケル(p型,0.5nm)/チタニア(n型,0.8nm)pn接合は光電気化学酸化の開始電位を改善し,光酸化電流を増加させ,超薄pn接合が光生成キャリアの再結合を抑制することを示した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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電気化学反応  ,  有機化合物の薄膜  ,  高分子担体・触媒反応  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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